北京中科優唯科技有限公司是在中科院半導體所高溫氮化物MOCVD裝備研發技術成果上、由項目技術團隊及管理團隊于2015年2月組建的一家高新技術企業。MOCVD（Metal-Organic ChemicalVapor Deposition）--即有機金屬化學汽相淀積--是制備化合物半導體薄片單晶的一項新技術，已經成為砷化鎵、磷化銦等光電子材料外延片制備的核心生長技術并得到廣泛應用（如發光二極管、激光器、**太陽能電池、光電陰極等），是光電子等產業**缺少的設備，幾乎全世界所有光電器件廠家都采用MOCVD外延技術來制作光電器件。迄今為止，MOCVD是包括Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅳ族化合物半導體和Ⅲ族氮化物半導體的高質量器件多層結構生長的靈活、費用低、效率高的技術。從技術角度而言，LED波長越短，制備難度越大，但同時產業附加值也越高。相比藍綠光LED而言，紫外LED波長更短，因此其制備的難度更大，紫外LED的主要技術難度體現在核心材料制備方面，目前世界上也僅有美國、日本、中國等少數國家掌握了深紫外LED的核心材料和器件制備技術。紫外及深紫外氮化物外延生長是半導體材料生長領域的一項重大課題。雖然市場上對紫外GaN外延及芯片的需求十分迫切，但由于紫外氮化物外延材料的生長難度大、生長周期長、成本高等方面原因，市場上一直沒有可以批量生產紫外GaN外延材料的生長設備，致使紫外GaN光源及功率器件的應用沒有得到很好的發展。作為國內早開展氮化物MOCVD外延生長的研究機構，中科院半導體所長期承擔國家863項目，持續深入開展紫外LED的關鍵技術研究，突破了紫外LED的核心材料和器件制備技術，開發出250-400nm波段的紫外LED，尤其掌握波長300nm以下的深紫外LED關鍵技術，采用自制的高溫單片MOCVD裝置研制出國內首支毫瓦級深紫外LED管芯，核心材料外延技術接近國際水平。當前公司專注研發出的專門用于深紫外LED的7片機和48片機型，生長溫度高達1400℃以上，加熱絲壽命長；生長壓力30torr到常壓連續可調；均勻性優于1%，有限元仿真模擬熱場、流場可滿足客戶需求。開發出的AlN緩沖層的生長工藝，生長速率為1um/h時，XRD搖擺曲線半高寬，（002）低達到30弧秒，（102）小于500弧秒。初步制作的280nm附近深紫外LED已實現電注入發光，發光功率大于1mw。有望實現批量設備上280nm以下深紫外LED的材料生長，并結合器件工藝實現規模化深紫外LED的技術突破，為深紫外LED降低成本，規模應用解決生產設備和成套工藝的技術瓶頸。