東莞市中鎵半導體科技有限公司總部設于廣東東莞，總部設立廠房辦公區等共17000多平方米，并在北京設立面積達1000平方米的大型研發中心，為中國國內首家專業生產氮化鎵（GaN）襯底材料的企業。本企業以北京大學寬禁帶半導體研究中心為技術依托，引進國內外的技術及管理團隊，擁有先進的技術及管理優勢。
本企業創造性地采用MOCVD技術、激光剝離技術、HVPE技術相結合的方法，研發、生產產品包括：（1）GaN半導體襯底材料，包括GaN襯底，GaN/ Al2O3復合襯底，圖形化藍寶石襯底（PSS）；（2）生產上述產品的設備，如激光剝離設備等。并對相應技術擁有自主知識產權，使本企業在國內國際競爭中處于一個優勢位置。
本公司專注于生產高品質的半導體襯底材料、相關先進設備的高精密制造，竭誠為廣大國內外用戶提供優質的服務，立足中國，放眼**，竭力為中國乃至世界半導體行業帶來一個新的發展契機。
